据高端装备网1月12日消息，美国伊利诺伊大学工程学院的科研团队在硅基氮化镓(GaN)技术方面取得了明显进展。研究人员通过优化半导体层的构成，在200mm的硅衬底上生成了高电子迁移率晶体管(HEMT)结构，其成本远低于以蓝宝石和碳化硅为基底的技术。该技术可用于在硅平台上制造用于5G无线数据网络的全功能高频GaN HEMT。
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