据国防科技要闻3月20日消息，比利时芯片研究机构高校微电子中心（IMEC）与泰勒斯·阿莱尼亚空间公司共同验证了在硅基氮化镓衬底上制造功率转换器件的抗辐射性。这种功率转换器件中的IMEC芯片能承受重离子和中子辐射，且不会降低性能。与常规硅芯片相比，硅基氮化镓电路能在更高电压、频率和温度下运行，这些属性使得硅基氮化镓电路成为制造卫星功率转换器件的理想方案。

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