据中国半导体行业协会网7月3日消息，美国IBM的研究人员公布了一种全新的芯片制造方法，使用碳纳米管替代传统的硅基CMOS工艺。碳纳米晶体管是直径仅为1纳米研究人员通过添加钴钼合金保证了碳纳米管低温状态下的稳定连接，使整个晶体管的接脚面积被压缩到40平方纳米。该碳纳米晶体管比目前的硅晶体管具有更快的电子传输速度和更高的效率，这将为提升器件性能带来至关重要的影响。

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