据国防科技信息网9月17日消息，美国北卡罗来纳州立大学的研究人员正在为碳化硅功率器件推出新的制造工艺和芯片设计。碳化硅功率器件与硅基功率器件相比，其功耗更低、散热性更佳，且能够在更高的频率下运行，可帮助电子设备进一步小型化。当前，碳化硅器件的成本是硅功率器件的5倍，研究团队的目标是将其降至硅基器件的1.5倍，从而启动碳化硅器件应用的良性循环。

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